无线电电子学论文_Ag-In共晶封接在硅-铜封接中
文章摘要:目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式，但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制，因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜的新封接方法，即利用Ag-In合金中间层将硅片封接到无氧铜板支撑件上，并通过法兰连接到真空测试系统中。研究优化了无氧铜板支撑件的的结构设计并通过ANSYS Workbench验证合金层的缓冲作用，通过实验找到最佳的封接工艺参数，并使用氦质谱检漏仪测量了封接组件的本底漏率。测量结果显示，在一个大气压的上游压力下测得的最小本底漏率为7.49 × 10-12 Pa·m3/s。
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